• TMR开关磁传感器

    TMR开关传感器利用隧道磁电阻技术,高灵敏度,低开关点,超低功耗,优良的ESD防护性能,极小的封装尺寸。

  • TMR线性磁传感器

    TMR线性磁阻传感器采用隧道磁电阻(TMR)技术,超高灵敏度,超低功耗,低磁滞及大动态范围,高速磁场检测和高频率响应,优良的ESD防护性能.

  • TMR角度磁传感器

    TMR角度磁阻传感器采用隧道磁电阻(TMR)技术,双轴360°全范围角度测量,高灵敏度,大信号输出(900~1000mV/V),极低的磁滞,超低功耗.

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性能优势

磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中,以感应磁场强度及其分布来测量电流,位置,方向等物理参数,在现有技术中,有许多同类型的传感器用于测量磁场和其他参数中,例如采用霍尔(Hall)元件,各向异性磁电阻  (Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件,巨磁电阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件为敏感元件的磁传感器。
TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器,其利用磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)来代指TMR元件。磁传感器技术发展历程相比于其他磁性传感元件,TMR元件具备优异的温度稳定性,极高的灵敏度,微功耗,高分辨率,较大的劢态范围等特点。
相比霍尔元件,具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更低的功耗,更好的线性度;相比于AMR元件,具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更宽的线性范围,更低的功耗,不需要额外的Set/Reset线圈结构;相比于GMR元件,具有更好的温度稳定性,更高的
灵敏度更低的功耗,更宽的线性范围。



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